casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFP110N15T2
codice articolo del costruttore | IXFP110N15T2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFP110N15T2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
IXFP110N15T2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 480W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP110N15T2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFP110N15T2-FT |
IXTH30N25
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IXTH30N50
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IXTH30N50L
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IXTH36N20T
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IXTH36N50P
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IXTH40N50L2
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IXTH44N30T
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IXTH48N15
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IXTH48N20
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