casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN20N120P
codice articolo del costruttore | IXFN20N120P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFN20N120P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Polar™ |
IXFN20N120P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 595W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN20N120P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN20N120P-FT |
IXFH40N30Q
IXYS
IXFH40N50Q
IXYS
IXFH40N50Q2
IXYS
IXFH4N100Q
IXYS
IXFH58N20Q
IXYS
IXFH60N20
IXYS
IXFH60N25Q
IXYS
IXFH66N20Q
IXYS
IXFH67N10
IXYS
IXFH6N100
IXYS