casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH60N20
codice articolo del costruttore | IXFH60N20 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH60N20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH60N20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH60N20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH60N20-FT |
IXFH160N15T2
IXYS
IXFH16N60P3
IXYS
IXFH16N80P
IXYS
IXFH170N10P
IXYS
IXFH18N100Q3
IXYS
IXFH18N60P
IXYS
IXFH18N60X
IXYS
IXFH18N90P
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IXYS
IXFH20N50P3
IXYS
XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
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LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
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