casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH4N100Q
codice articolo del costruttore | IXFH4N100Q |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH4N100Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH4N100Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH4N100Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH4N100Q-FT |
IXFH150N20T
IXYS
IXFH15N100P
IXYS
IXFH160N15T2
IXYS
IXFH16N60P3
IXYS
IXFH16N80P
IXYS
IXFH170N10P
IXYS
IXFH18N100Q3
IXYS
IXFH18N60P
IXYS
IXFH18N60X
IXYS
IXFH18N90P
IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel