casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK24N80P
codice articolo del costruttore | IXFK24N80P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK24N80P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFK24N80P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 650W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK24N80P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK24N80P-FT |
APTC90DAM60T1G
Microsemi Corporation
APTC60SKM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM18CTG
Microsemi Corporation
APT94N60L2C3G
Microsemi Corporation
2N6661
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VN2210N2
Microchip Technology
VP2206N2
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2N6660
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VMO1200-01F
IXYS
VMO580-02F
IXYS
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
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XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel