casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH80N25X3
codice articolo del costruttore | IXFH80N25X3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH80N25X3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH80N25X3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5430pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 390W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH80N25X3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH80N25X3-FT |
IXFH72N30X3
IXYS
IXFH50N30Q3
IXYS
IXFH100N30X3
IXYS
IXFH26N50
IXYS
IXFH36N50P
IXYS
IXFH120N30X3
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IXFH44N50P
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IXFH15N80Q
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IXFH15N100Q3
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IXFH24N50
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