casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH36N50P
codice articolo del costruttore | IXFH36N50P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH36N50P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFH36N50P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 540W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH36N50P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH36N50P-FT |
IXTT30N50L
IXYS
IXTT30N50P
IXYS
IXTT30N60P
IXYS
IXTT360N055T2
IXYS
IXTT3N200P3HV
IXYS
IXTT440N055T2
IXYS
IXTT500N04T2
IXYS
IXTT50P10
IXYS
IXTT52N30P
IXYS
IXTT68P20T
IXYS
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
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EP20K100FI324-2XV
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