casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH100N30X3
codice articolo del costruttore | IXFH100N30X3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH100N30X3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH100N30X3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7.66nF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 480W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH100N30X3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH100N30X3-FT |
IXTT26N60P
IXYS
IXTT2N300P3HV
IXYS
IXTT30N50L
IXYS
IXTT30N50P
IXYS
IXTT30N60P
IXYS
IXTT360N055T2
IXYS
IXTT3N200P3HV
IXYS
IXTT440N055T2
IXYS
IXTT500N04T2
IXYS
IXTT50P10
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel