casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH220N06T3
codice articolo del costruttore | IXFH220N06T3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH220N06T3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiperFET™, TrenchT3™ |
IXFH220N06T3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 220A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 440W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH220N06T3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH220N06T3-FT |
IXFH340N075T2
IXYS
IXFH72N30X3
IXYS
IXFH50N30Q3
IXYS
IXFH100N30X3
IXYS
IXFH26N50
IXYS
IXFH36N50P
IXYS
IXFH120N30X3
IXYS
IXFH44N50P
IXYS
IXFH15N80Q
IXYS
IXFH15N100Q3
IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel