casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBH9N160G
codice articolo del costruttore | IXBH9N160G |
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Numero di parte futuro | FT-IXBH9N160G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBH9N160G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 9A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 10A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 7V @ 15V, 5A |
Potenza - Max | 100W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 34nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | 960V, 5A, 27 Ohm, 10V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXBH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBH9N160G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBH9N160G-FT |
IXGX64N60B3D1
IXYS
IXGX82N120B3
IXYS
IXXX160N65B4
IXYS
IXXX300N60C3
IXYS
IXYX100N120B3
IXYS
IXYX100N120C3
IXYS
IXYX100N65B3D1
IXYS
IXYX120N120C3
IXYS
IXGX300N60B3
IXYS
IXGX75N250
IXYS
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
XC5VLX30-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1HG
Intel