casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXGX82N120B3
codice articolo del costruttore | IXGX82N120B3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXGX82N120B3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™ |
IXGX82N120B3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 230A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 500A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 82A |
Potenza - Max | 1250W |
Cambiare energia | 5mJ (on), 3.3mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 350nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/210ns |
Condizione di test | 600V, 80A, 2 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGX82N120B3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGX82N120B3-FT |
NGB8206ANSL3G
Littelfuse Inc.
NGB8206ANTF4G
Littelfuse Inc.
NGB8207ABNT4G
Littelfuse Inc.
MGB15N40CLT4
ON Semiconductor
NGB15N41CLT4
ON Semiconductor
NGB18N40CLBT4
ON Semiconductor
NGB18N40CLBT4G
ON Semiconductor
NGB8202NT4
ON Semiconductor
NGB8202NT4G
ON Semiconductor
NGB8204NT4
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
XC5VLX30-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1HG
Intel