casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXYX120N120C3
codice articolo del costruttore | IXYX120N120C3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXYX120N120C3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™, XPT™ |
IXYX120N120C3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 240A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 700A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 120A |
Potenza - Max | 1500W |
Cambiare energia | 6.75mJ (on), 5.1mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 412nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 35ns/176ns |
Condizione di test | 600V, 100A, 1 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYX120N120C3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXYX120N120C3-FT |
NGB18N40CLBT4G
ON Semiconductor
NGB8202NT4
ON Semiconductor
NGB8202NT4G
ON Semiconductor
NGB8204NT4
ON Semiconductor
NGB8204NT4G
ON Semiconductor
NGB8206N
ON Semiconductor
NGB8206NG
ON Semiconductor
NGB8206NT4
ON Semiconductor
NGB8206NT4G
Littelfuse Inc.
NGB8206NTF4
ON Semiconductor
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
XC7K325T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
A3P250-2FGG144
Microsemi Corporation
ICE40LP384-CM36TR
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D7F31C8N
Intel
AT6002LV-4JC
Microchip Technology