casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXA33IF1200HB
codice articolo del costruttore | IXA33IF1200HB |
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Numero di parte futuro | FT-IXA33IF1200HB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXA33IF1200HB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 58A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
Potenza - Max | 250W |
Cambiare energia | 2.5mJ (on), 3mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 76nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | 600V, 25A, 39 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 350ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (HB) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXA33IF1200HB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXA33IF1200HB-FT |
IXA45IF1200HB
IXYS
IXGH50N90B2D1
IXYS
IXYH30N170C
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XC7A35T-1FTG256I
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5AGXBA7D6F35C6N
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