casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBH10N170
codice articolo del costruttore | IXBH10N170 |
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Numero di parte futuro | FT-IXBH10N170 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBH10N170 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.8V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 140W |
Cambiare energia | 6mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 30nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 35ns/500ns |
Condizione di test | 1360V, 10A, 56 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 360ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXBH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBH10N170 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBH10N170-FT |
IXGX120N60A3
IXYS
IXGX120N60B3
IXYS
IXGX320N60A3
IXYS
IXGX320N60B3
IXYS
IXGX400N30A3
IXYS
IXGX64N60B3D1
IXYS
IXGX82N120B3
IXYS
IXXX160N65B4
IXYS
IXXX300N60C3
IXYS
IXYX100N120B3
IXYS
LCMXO640C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-1
Intel
AGLN125V2-CSG81
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290FH29C2XN
Intel
5SGXMA5K1F35C2N
Intel
XCV150-5BG256I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40E2SG
Intel