casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ISL9R18120G2
codice articolo del costruttore | ISL9R18120G2 |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9R18120G2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
ISL9R18120G2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 18A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 70ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9R18120G2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9R18120G2-FT |
1N3210
GeneSiC Semiconductor
1N1186R
GeneSiC Semiconductor
1N3210R
GeneSiC Semiconductor
FR40M05
GeneSiC Semiconductor
S40BR
GeneSiC Semiconductor
S85M
GeneSiC Semiconductor
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor
1N3891
GeneSiC Semiconductor
1N6095R
GeneSiC Semiconductor
FR12G05
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel