casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ISL9R18120G2
codice articolo del costruttore | ISL9R18120G2 |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9R18120G2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
ISL9R18120G2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 18A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 70ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9R18120G2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9R18120G2-FT |
1N3210
GeneSiC Semiconductor
1N1186R
GeneSiC Semiconductor
1N3210R
GeneSiC Semiconductor
FR40M05
GeneSiC Semiconductor
S40BR
GeneSiC Semiconductor
S85M
GeneSiC Semiconductor
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor
1N3891
GeneSiC Semiconductor
1N6095R
GeneSiC Semiconductor
FR12G05
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel