casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1186R
codice articolo del costruttore | 1N1186R |
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Numero di parte futuro | FT-1N1186R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1186R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1186R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1186R-FT |
MBRH20035R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080R
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MBRH240100
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MBRH240100R
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MBRH240150
GeneSiC Semiconductor
AX250-FG256I
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MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
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10M04SFE144I7G
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5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation