casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1186R
codice articolo del costruttore | 1N1186R |
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Numero di parte futuro | FT-1N1186R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1186R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1186R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1186R-FT |
MBRH20035R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRH240100
GeneSiC Semiconductor
MBRH240100R
GeneSiC Semiconductor
MBRH240150
GeneSiC Semiconductor
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation