codice articolo del costruttore | 1N3210 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3210 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3210 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3210 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3210-FT |
MBRH20035
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRH240100
GeneSiC Semiconductor
MBRH240100R
GeneSiC Semiconductor
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel