codice articolo del costruttore | 1N3210 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3210 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3210 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3210 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3210-FT |
MBRH20035
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060
GeneSiC Semiconductor
MBRH20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080
GeneSiC Semiconductor
MBRH20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRH240100
GeneSiC Semiconductor
MBRH240100R
GeneSiC Semiconductor
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel