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codice articolo del costruttore | ISC1210ER82NM |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210ER82NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210ER82NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 82nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 460mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 900MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER82NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210ER82NM-FT |
ISC1210EB680K
Vishay Dale
ISC1210EB68NK
Vishay Dale
ISC1210EB68NM
Vishay Dale
ISC1210EB6R8J
Vishay Dale
ISC1210EB6R8K
Vishay Dale
ISC1210EB820J
Vishay Dale
ISC1210EB820K
Vishay Dale
ISC1210EB82NK
Vishay Dale
ISC1210EB82NM
Vishay Dale
ISC1210EB8R2J
Vishay Dale
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation