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codice articolo del costruttore | ISC1210EB82NM |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB82NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB82NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 82nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 460mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 900MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB82NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB82NM-FT |
ISC1210BN680K
Vishay Dale
ISC1210BN68NK
Vishay Dale
ISC1210BN68NM
Vishay Dale
ISC1210BN6R8J
Vishay Dale
ISC1210BN6R8K
Vishay Dale
ISC1210BN820J
Vishay Dale
ISC1210BN820K
Vishay Dale
ISC1210BN82NK
Vishay Dale
ISC1210BN82NM
Vishay Dale
ISC1210BN8R2J
Vishay Dale
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel