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codice articolo del costruttore | ISC1210EB820J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB820J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB820J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 82µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 85mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 11 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 11MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB820J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB820J-FT |
ISC1210BN5R6J
Vishay Dale
ISC1210BN5R6K
Vishay Dale
ISC1210BN680J
Vishay Dale
ISC1210BN680K
Vishay Dale
ISC1210BN68NK
Vishay Dale
ISC1210BN68NM
Vishay Dale
ISC1210BN6R8J
Vishay Dale
ISC1210BN6R8K
Vishay Dale
ISC1210BN820J
Vishay Dale
ISC1210BN820K
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel