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codice articolo del costruttore | ISC1210EB3R9J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB3R9J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB3R9J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 58MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB3R9J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB3R9J-FT |
ISC1210BN330J
Vishay Dale
ISC1210BN330K
Vishay Dale
ISC1210BN33NM
Vishay Dale
ISC1210BN390K
Vishay Dale
ISC1210BN39NJ
Vishay Dale
ISC1210BN39NM
Vishay Dale
ISC1210BN3R3J
Vishay Dale
ISC1210BN3R3K
Vishay Dale
ISC1210BN3R9J
Vishay Dale
ISC1210BN3R9K
Vishay Dale
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel