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codice articolo del costruttore | ISC1210BN3R3K |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN3R3K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN3R3K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 270mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 60MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN3R3K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN3R3K-FT |
744782082
Wurth Electronics Inc.
74478210
Wurth Electronics Inc.
74478212
Wurth Electronics Inc.
74478215
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
74478222
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744900010
Wurth Electronics Inc.
744900012
Wurth Electronics Inc.
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel