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codice articolo del costruttore | ISC1210BN3R9K |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN3R9K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN3R9K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 58MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN3R9K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN3R9K-FT |
74478212
Wurth Electronics Inc.
74478215
Wurth Electronics Inc.
74478218
Wurth Electronics Inc.
74478222
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744900012
Wurth Electronics Inc.
744900013
Wurth Electronics Inc.
744900014
Wurth Electronics Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel