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codice articolo del costruttore | ISC1210EB27NM |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB27NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB27NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 27nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 610mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB27NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB27NM-FT |
ISC1210BN1R5J
Vishay Dale
ISC1210BN1R5K
Vishay Dale
ISC1210BN1R8J
Vishay Dale
ISC1210BN1R8K
Vishay Dale
ISC1210BN220J
Vishay Dale
ISC1210BN220K
Vishay Dale
ISC1210BN22NK
Vishay Dale
ISC1210BN270K
Vishay Dale
ISC1210BN2R2J
Vishay Dale
ISC1210BN2R2K
Vishay Dale
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel