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codice articolo del costruttore | ISC1210BN220J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN220J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN220J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 22µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 150mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 16MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN220J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN220J-FT |
744901112
Wurth Electronics Inc.
744901115
Wurth Electronics Inc.
744901118
Wurth Electronics Inc.
744901122
Wurth Electronics Inc.
74478201
Wurth Electronics Inc.
744782012
Wurth Electronics Inc.
744782015
Wurth Electronics Inc.
744782018
Wurth Electronics Inc.
744782022
Wurth Electronics Inc.
744782027
Wurth Electronics Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel