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codice articolo del costruttore | ISC1210BN1R5J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN1R5J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN1R5J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 370mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 750 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 90MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN1R5J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN1R5J-FT |
744901056
Wurth Electronics Inc.
744901068
Wurth Electronics Inc.
744901082
Wurth Electronics Inc.
744901110
Wurth Electronics Inc.
744901112
Wurth Electronics Inc.
744901115
Wurth Electronics Inc.
744901118
Wurth Electronics Inc.
744901122
Wurth Electronics Inc.
74478201
Wurth Electronics Inc.
744782012
Wurth Electronics Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel