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codice articolo del costruttore | ISC1210EB1R8J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB1R8J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB1R8J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.8µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 350mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 85MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB1R8J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB1R8J-FT |
ISC1210BN15NM
Vishay Dale
ISC1210BN180K
Vishay Dale
ISC1210BN18NK
Vishay Dale
ISC1210BN1R0J
Vishay Dale
ISC1210BN1R0K
Vishay Dale
ISC1210BN1R2J
Vishay Dale
ISC1210BN1R2K
Vishay Dale
ISC1210BN1R5J
Vishay Dale
ISC1210BN1R5K
Vishay Dale
ISC1210BN1R8J
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation