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codice articolo del costruttore | ISC1210BN1R0J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN1R0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN1R0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 400mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 120MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN1R0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN1R0J-FT |
744901027
Wurth Electronics Inc.
744901033
Wurth Electronics Inc.
744901039
Wurth Electronics Inc.
744901047
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744901115
Wurth Electronics Inc.
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Intel
EP3C10E144I7N
Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel