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codice articolo del costruttore | ISC1210BN1R0J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN1R0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN1R0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 400mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 120MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN1R0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN1R0J-FT |
744901027
Wurth Electronics Inc.
744901033
Wurth Electronics Inc.
744901039
Wurth Electronics Inc.
744901047
Wurth Electronics Inc.
744901056
Wurth Electronics Inc.
744901068
Wurth Electronics Inc.
744901082
Wurth Electronics Inc.
744901110
Wurth Electronics Inc.
744901112
Wurth Electronics Inc.
744901115
Wurth Electronics Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel