casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP25618A-200B3LI
codice articolo del costruttore | IS61NLP25618A-200B3LI |
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Numero di parte futuro | FT-IS61NLP25618A-200B3LI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25618A-200B3LI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (256K x 18) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-PBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25618A-200B3LI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP25618A-200B3LI-FT |
IDT6116SA25SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA45SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA45SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA45SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel