casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT6116SA35SO8
codice articolo del costruttore | IDT6116SA35SO8 |
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Numero di parte futuro | FT-IDT6116SA35SO8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT6116SA35SO8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT6116SA35SO8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT6116SA35SO8-FT |
CY7C199CN-15PXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C199CN-25PXC
Cypress Semiconductor Corp
IDT71256SA12TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L20TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel