casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT6116SA35SOI8
codice articolo del costruttore | IDT6116SA35SOI8 |
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Numero di parte futuro | FT-IDT6116SA35SOI8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT6116SA35SOI8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT6116SA35SOI8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT6116SA35SOI8-FT |
IDT71256SA12TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L20TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L20TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S20TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel