casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLTS6342TRPBF
codice articolo del costruttore | IRLTS6342TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLTS6342TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLTS6342TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 8.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLTS6342TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLTS6342TRPBF-FT |
TK50E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK55D10J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60D08J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK70D06J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
ZXM64P035L3
Diodes Incorporated
SI3134KL-TP
Micro Commercial Co
SI3139KL-TP
Micro Commercial Co
SI3134K-TP
Micro Commercial Co
SI3139K-TP
Micro Commercial Co
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel