casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI3139K-TP
codice articolo del costruttore | SI3139K-TP |
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Numero di parte futuro | FT-SI3139K-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI3139K-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 660mA |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3139K-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3139K-TP-FT |
SPA03N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA04N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA06N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA07N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N60C3IN
Infineon Technologies
SPA11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation