casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI3139K-TP
codice articolo del costruttore | SI3139K-TP |
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Numero di parte futuro | FT-SI3139K-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI3139K-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 660mA |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3139K-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3139K-TP-FT |
SPA03N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA04N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA06N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA07N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N60C3IN
Infineon Technologies
SPA11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel