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Infineon Technologies IRLH5036TR2PBF

Numero parte MFG
IRLH5036TR2PBF
quantità disponibile
78050 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IRLH5036TR2PBF
Numero di parte futuro FT-IRLH5036TR2PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLH5036TR2PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5360pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLH5036TR2PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLH5036TR2PBF-FT

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