casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLH5036TR2PBF
codice articolo del costruttore | IRLH5036TR2PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRLH5036TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLH5036TR2PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLH5036TR2PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLH5036TR2PBF-FT |
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies
IGT60R070D1ATMA1
Infineon Technologies
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT004N03LATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R8XTMA1
Infineon Technologies
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies