casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLH5034TRPBF
codice articolo del costruttore | IRLH5034TRPBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRLH5034TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLH5034TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4730pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLH5034TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLH5034TRPBF-FT |
IPS80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies
IGT60R070D1ATMA1
Infineon Technologies
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT004N03LATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R8XTMA1
Infineon Technologies
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel