casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLH5030TRPBF
codice articolo del costruttore | IRLH5030TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLH5030TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLH5030TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLH5030TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLH5030TRPBF-FT |
IPW60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IRF300P227
Infineon Technologies
IPW65R037C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R110CFDAFKSA1
Infineon Technologies
SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel