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Infineon Technologies IRLB3813PBF

Name: IRLB3813PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLB3813PBF
Price: 1.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (568 reviews)

Numero parte MFG: IRLB3813PBF

quantità disponibile: 97170 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.6

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLB3813PBF.pdf

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IRLB3813PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLB3813PBF
Numero di parte futuro	FT-IRLB3813PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLB3813PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	260A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8420pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLB3813PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLB3813PBF-FT

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