casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6637TR1
codice articolo del costruttore | IRF6637TR1 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6637TR1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6637TR1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 59A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MP |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6637TR1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6637TR1-FT |
IRF8306MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF8306MTRPBF
Infineon Technologies
IRF8308MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF8308MTRPBF
Infineon Technologies
IRF9383MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF9383MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6712STRPBF
Infineon Technologies
IRF6610TR1
Infineon Technologies
IRF6610TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6610TRPBF
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel