codice articolo del costruttore | IRL530L |
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Numero di parte futuro | FT-IRL530L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRL530L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL530L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL530L-FT |
SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJQ402E-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJQ404E-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJQ466E-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIUD403ED-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIUD402ED-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIUD406ED-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIUD412ED-T1-GE3
Vishay Siliconix
IRFBF20LPBF
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel