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codice articolo del costruttore | SIUD406ED-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIUD406ED-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIUD406ED-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.46 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 0806 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 0806 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIUD406ED-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIUD406ED-T1-GE3-FT |
IRL620
Vishay Siliconix
IRL630
Vishay Siliconix
IRL640
Vishay Siliconix
IRLZ14
Vishay Siliconix
IRLZ24
Vishay Siliconix
IRLZ34
Vishay Siliconix
IRLZ44
Vishay Siliconix
SIHF18N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHP17N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP22N60E-GE3
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel