casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRL3714LPBF
codice articolo del costruttore | IRL3714LPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRL3714LPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL3714LPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL3714LPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL3714LPBF-FT |
IRF540NL
Infineon Technologies
IRF540ZL
Infineon Technologies
IRF6215L
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IRF6215L-103
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IRF6215LPBF
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IRF9520NL
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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