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codice articolo del costruttore | IRF6215L-103PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6215L-103PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6215L-103PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6215L-103PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6215L-103PBF-FT |
IPI120N10S405AKSA1
Infineon Technologies
IPI120P04P404AKSA1
Infineon Technologies
IPI120P04P4L03AKSA1
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IPI45N06S409AKSA2
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IPI50R399CPXKSA2
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IPI65R099C6XKSA1
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IPI65R150CFDXKSA1
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IPI65R280E6XKSA1
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IPI70P04P409AKSA1
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IPI80N04S204AKSA2
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A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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LFXP6C-5Q208C
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10AX016E3F27I1HG
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