casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF630NLPBF
codice articolo del costruttore | IRF630NLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF630NLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF630NLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 82W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF630NLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF630NLPBF-FT |
IPI45N06S409AKSA2
Infineon Technologies
IPI50R399CPXKSA2
Infineon Technologies
IPI65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPI70P04P409AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S204AKSA2
Infineon Technologies
IPI80N04S2H4AKSA2
Infineon Technologies
IPI80N06S207AKSA2
Infineon Technologies
IPI80N06S208AKSA2
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation