casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF630NLPBF
codice articolo del costruttore | IRF630NLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF630NLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF630NLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 82W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF630NLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF630NLPBF-FT |
IPI45N06S409AKSA2
Infineon Technologies
IPI50R399CPXKSA2
Infineon Technologies
IPI65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPI70P04P409AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S204AKSA2
Infineon Technologies
IPI80N04S2H4AKSA2
Infineon Technologies
IPI80N06S207AKSA2
Infineon Technologies
IPI80N06S208AKSA2
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel