casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IRG7T200CH12B
codice articolo del costruttore | IRG7T200CH12B |
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Numero di parte futuro | FT-IRG7T200CH12B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRG7T200CH12B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 390A |
Potenza - Max | 1060W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 22.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POWIR® 62 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POWIR® 62 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG7T200CH12B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRG7T200CH12B-FT |
FZ30R07W1E3B31ABOMA1
Infineon Technologies
FZ3600R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R12HP4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ3600R17HE4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ3600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FZ400R12KE3B1HOSA1
Infineon Technologies
FZ400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FZ400R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
FZ400R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
FZ400R12KS4PHOSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel