casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ400R12KE3HOSA1
codice articolo del costruttore | FZ400R12KE3HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FZ400R12KE3HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ400R12KE3HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 650A |
Potenza - Max | 2250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 400A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ400R12KE3HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ400R12KE3HOSA1-FT |
FS25R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FS300R12KE4BOSA1
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FS300R17KE3BOSA1
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FS300R17KE4BOSA1
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FS30R06VE3BOMA1
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FS35R12KT3BOSA1
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FS35R12U1T4BPSA1
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A3P030-QNG68
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A54SX16P-TQ144
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XC3S500E-4FG320I
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XC2V80-4FGG256C
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XC3090-100PQ208C
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A3P1000-2FG484
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M1A3P600-1FG256
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M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
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LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation