casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ3600R17HE4PHPSA1
codice articolo del costruttore | FZ3600R17HE4PHPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FZ3600R17HE4PHPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ3600R17HE4PHPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single Switch |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 7200A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 3600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 295nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ3600R17HE4PHPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ3600R17HE4PHPSA1-FT |
FS225R17OE4PBOSA1
Infineon Technologies
FS25R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FS25R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
FS25R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FS300R12KE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
FS30R06VE3BOMA1
Infineon Technologies
FS30R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FS30R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation