casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IRG6I330UPBF
codice articolo del costruttore | IRG6I330UPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRG6I330UPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRG6I330UPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 330V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 28A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 28A |
Potenza - Max | 43W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 86nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 39ns/120ns |
Condizione di test | 196V, 25A, 10 Ohm |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB Full-Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG6I330UPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRG6I330UPBF-FT |
GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
HGTD3N60C3S9A
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