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ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A

Name: HGTD3N60C3S9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTD3N60C3S9A
Availability: InStock
Rating: 4.9 (778 reviews)

Numero parte MFG: HGTD3N60C3S9A

quantità disponibile: 76830 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HGTD3N60C3S9A.pdf

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HGTD3N60C3S9A specificazioni

codice articolo del costruttore	HGTD3N60C3S9A
Numero di parte futuro	FT-HGTD3N60C3S9A
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HGTD3N60C3S9A Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	6A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 3A
Potenza - Max	33W
Cambiare energia	85µJ (on), 245µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	10.8nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	-
Condizione di test	480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTD3N60C3S9A Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HGTD3N60C3S9A-FT

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