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Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)

Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT10J312(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (109 reviews)

Numero parte MFG: GT10J312(Q)

quantità disponibile: 95310 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: GT10J312(Q).pdf

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GT10J312(Q) specificazioni

codice articolo del costruttore	GT10J312(Q)
Numero di parte futuro	FT-GT10J312(Q)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GT10J312(Q) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	10A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max	60W
Cambiare energia	-
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	400ns/400ns
Condizione di test	300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	200ns
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SM
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT10J312(Q) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	GT10J312(Q)-FT

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