casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IRG4BC20FD-S
codice articolo del costruttore | IRG4BC20FD-S |
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Numero di parte futuro | FT-IRG4BC20FD-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRG4BC20FD-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 64A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 9A |
Potenza - Max | 60W |
Cambiare energia | 250µJ (on), 640µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 27nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 43ns/240ns |
Condizione di test | 480V, 9A, 50 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 37ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG4BC20FD-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRG4BC20FD-S-FT |
IRG4IBC20KDPBF
Infineon Technologies
RJH60M1DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJP60D0DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
IKA06N60TXKSA1
Infineon Technologies
IRGIB6B60KDPBF
Infineon Technologies
RJH60V2BDPP-M0#T2
Renesas Electronics America
IGA03N120H2XKSA1
Infineon Technologies
IGA30N60H3XKSA1
Infineon Technologies
IKA03N120H2XKSA1
Infineon Technologies
IRG4IBC20UDPBF
Infineon Technologies
XC2S30-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-4CPG132C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7
Intel
EP1K100FC484-3N
Intel
XC7V585T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100A
Microsemi Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel